DDR5, GDDR7, mémoire NAND de 1000 couches : Samsung dévoile ses projets

Le groupe Samsung est le champion des composants mémoire et ses lourds investissements dans le secteur lui permettent de présenter régulièrement des innovations et premières industrielles.

Puissant dans la mémoire vive de type DRAM comme dans la mémoire flash NAND pour le stockage et rappelant qu'il a généré 1000 milliards de gigaoctets depuis le lancement de l'activité il y a 40 ans, il maintient sa domination dans le secteur par ses avancées et annonce sa DRAM de cinquième génération gravée sur le noeud 10 nm (1b).

DRAM DDR5 toujours plus imposante, GDDR7 à l'horizon

Disponible en production de masse l'an prochain, elle va contribuer à faire émerger des modules 32 Gb de DDR5 (au lieu de 16 Gb pour les premières générations) et de la mémoire LPDDR5X à 8,5 Gbps pour la mémoire interne des smartphones, produits mobiles / embarqués et ordinateurs portables.

Ces évolutions sont permises par l'utilisation de techniques spéciales comme les portes HKMG (High-K Metal Gate) et de nouvelles techniques d'empilement des modules

A plus long terme, Samsung LSI (qui porte l'activité de conception fabless de composants) anticipe également l'arrivée de la mémoire vidéo pour carte graphique GDDR7 qui pourra atteindre 36 Gbps (contre 21 à 23 Gbps pour les solutions GDDR6X actuelles).

Ces solutions pourront intéresser tous les segments, de l'industrie mobile au HPC (High Performance Computing) en passant par le secteur automobile, avec quelques idées astucieuses comme la mémoire rapide HBM-PIM (Processing in Memory) qui autorise un pré-traitement des données par intelligence artificielle directement dans la mémoire, sans avoir à faire des allers-retours entre les composants dédiés.

De la V-NAND 1000 couches d'ici la fin de la décennie

Pour la mémoire de stockage, Samsung en est à la huitième génération de sa mémoire V-NAND, ce qui a permis de multiplier par 10 le nombre de couches et d'accroître la densité des puces mémoire.

Après les actuels modules 512 Gb utilisant sa V-NAND de 8ème génération, le groupe coréen annonce l'arrivée d'ici la fin de l'année des premiers modules mémoire de 1 Tb en TLC (Triple Level Cell), assurant des capacités de stockage toujours plus élevées tout en faisant progresser les vitesses de transfert.

Les composants de mémoire NAND les plus avancés ont dépassé les 200 couches ces derniers trimestres (200 chez Micron, 238 du côté de SK Hynix) et vont permettre d'accroître encore les capacités de stockage tout en conservant un encombrement minimal.

On pourrait citer d'autres évolutions comme l'arrivée de la mémoire de stockage UFS 4.0 qui devrait donner aux smartphones de nouvelles possibilités face à l'augmentation du poids de clichés et vidéos pris avec des appareils photo toujours plus imposants, atteignant désormais 200 mégapixels et pouvant filmer jusqu'en 8K.

Cette tendance à l'empilement de couches va se poursuivre ces prochaines années et Samsung anticipe déjà de la mémoire V-NAND de 1000 couches d'ici 2030. Avant cela, c'est la neuvième génération de mémoire V-NAND qui se prépare et dont la production sera lancée en 2024.